195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207

Раздел 16 Импульсные источники питания

Выбор полупроводниковых компонентов

Пассивация

Полупроводниковые компоненты, предназначенные для работы с высоким напряжением, необходимо пассивировать. Напряжённость электрического поля на краях кристалла может быть очень большой, что приводит к нежелательному обратному току утечки. Вокруг высоковольтной активной области полупроводника производится пассивация, чтобы электрически изолировать края. На Рис. 7.5 изображена пассивация диода FRED, диода Шотки и биполярного транзистора.

Пассивация диода FRED, диода Шотки и биполярного транзистораРис. 7.5. Пассивация диода FRED, диода Шотки и биполярного транзистора

При планарной пассивации используется защитное кольцо, а также покрытие поверхности кристалла стеклом. При меза-пассивации формируется канавка, чтобы повысить предельно допустимое напряжение на поверхности кристалла. Различные производители полупроводников применяют разные технологии.

195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207