5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17

Раздел 1 Схемы выпрямителей

Сравнение выпрямительных свойств транзистора и диода

Как следует из ВАХ наиболее широко распространенных кремниевых диодов, они начинают проявлять свои выпрямительные свойства при напряжении более 500…600 мВ: по мере превышения этого порога ток на выходе выпрямителя начинает медленно возрастать (рис. 1.12).

Сравнение выпрямительных свойств инжекционного транзисторного элемента и обычного кремниевого диодаРис. 1.12. Сравнение выпрямительных свойств инжекционного транзисторного элемента и обычного кремниевого диода


В. А. Масловский предложил использовать в качестве более эффективных низковольтных выпрямителей инжекционные транзисторные элементы (рис. 1.12 и 1.13).

 

Практическая схема выпрямителя на инжекционном транзисторном элементеРис. 1.13. Практическая схема выпрямителя на инжекционном транзисторном элементе

Полевой транзистор, впрочем, точно так же, как и биполярный, можно применить для двухполупериодного выпрямления (рис. 1.14).

Применение полевого транзистора для выпрямления сигналовРис. 1.14. Применение полевого транзистора для выпрямления сигналов

Если канал полевого транзистора рассматривать как вход устройства, а нагрузку подключить между затвором и общим проводом, то участки сток — затвор и исток — затвор будут выполнять функции двух высококачественных диодов.

В выпрямителе (рис. 1.14) реализуется важное достоинство полевого транзистора: высокое сопротивление p-n перехода транзистора в закрытом состоянии (108… 1012 Ом). Это позволяет использовать высокоомные сопротивления нагрузки и конденсаторы нагрузки относительно малой емкости. Для симметрирования схемы выпрямителя предназначен потенциометр R1. Для достижения коэффициента передачи выпрямителя, близкого к единице, необходимо, чтобы выполнялось условие: RH>>R1.

Особенно перспективны для выпрямления сигналов полевые транзисторы с индуцированным каналом.

5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17