0 0 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Раздел 1 Схемы выпрямителей

ВАХ полупроводниковых диодов, выполненных из разных материалов

На рис. 1.3 показаны реальные ВАХ полупроводниковых диодов

ВАХ полупроводниковых диодов, выполненных из разных материалов и разными методамиРис. 1.3 ВАХ полупроводниковых диодов, выполненных из разных материалов и разными методами (точечные — m, плоскостные — n). Монокристаллические: германиевые — Ge, кремниевые — Si; поликристаллические: меднозакисные (купроксные) — Cu20; селеновые — Se

В последние десятилетия в отечественной справочной литературе избегают приводить внешний вид ВАХ полупроводниковых приборов. И это не случайно. Вольт-амперные характеристики не очень хорошо воспроизводимы: они отличаются даже у приборов одной партии. Кроме того, ВАХ, особенно для силовых низкочастотных полупроводниковых приборов, сильно зависят от частоты, от сопротивления нагрузки, его резистивно-емкостных и иных характеристик.

Тем не менее, свойства полупроводниковых приборов необходимо каким-то образом описывать. В этой связи в паспортах на них и справочных руководствах принято указывать параметры характерных точек на ВАХ, полученные путем статистического усреднения данных по большой выборке однотипных полупроводниковых приборов испытанных по стандартизованной методике измерений, в пределах использования которой эти данные достаточно воспроизводимы.

0 0 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8